宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货
时间:2025-06-30 12:30:20 来源:揭阳新闻网 作者:百科资讯 阅读:882次
10月31日消息,宏微科技披露投资者关系活动记录表显示,公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展,包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证;自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证,部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面,车规级1200V SiC自研模块正在研制中,亦已通过可靠性验证。同时,公司表示会坚决拥护国家利好政策,结合战略规划和经营发展需要,用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划,公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外,公司在2024年第三季度,工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%,整体营收结构相对稳定。
(责任编辑:财经专题)
最新内容
热点内容
- ·Btc硬件钱包
- ·Epic Games 敦促法院要求苹果将《堡垒之夜》恢复到美国应用商店
- ·以色列的气候怎么样-以色列的气候怎么样
- ·10月31日海富通均衡甄选混合C净值下跌0.20%,近1个月累计下跌4.81%
- ·Web3资产发行趋势:2025年融资模式的演变与未来展望
- ·10月31日财通匠心优选一年持有混合C净值增长0.51%,今年来累计上涨36.27%
- ·Cardano创始人宣布“史上最大空投”:3700万地址将获益,推动跨链合作与隐私革命
- ·10月31日鹏华弘和混合A净值增长2.24%,近3个月累计上涨15.24%
- ·10月31日博道嘉元混合A净值下跌0.60%,近1个月累计上涨0.88%
- ·股票首发是什么意思